GTEM小室是根據(jù)同軸及非對(duì)稱矩形傳輸線原理設(shè)計(jì)而成的設(shè)備。為避免內(nèi)部電磁波的反射和諧振GTEM小室在外形上被設(shè)計(jì)成錐形其輸入端采用N型同軸接頭隨后中心導(dǎo)體展平成為一塊扇形板稱為芯板。在小室的芯板和底板之間形成矩形均勻場(chǎng)區(qū)。為了使球面波嚴(yán)格地說(shuō)由N型接頭向GTEM小室傳播的是球面波但由于所設(shè)計(jì)的張角很小因而該球面波近似于平面波從輸入端到負(fù)載端有良好的傳輸特性芯板的終端因采用了分布式電阻匹配網(wǎng)絡(luò)從而成為無(wú)反射終端。
 

　　GTEM小室的端面還貼有吸波材料用它對(duì)頻率的電磁波作進(jìn)一步吸收。因此在小室的芯板和底板之間產(chǎn)生了一個(gè)均勻場(chǎng)強(qiáng)的測(cè)試區(qū)域。試驗(yàn)時(shí)試品被置于測(cè)試區(qū)中為了做到不因試品置入而過(guò)于影響場(chǎng)的均勻性試品以不超過(guò)芯板和底板之間距離的1/3高度為宜。
 

 

　　GTEM小室設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：
 

　　(1)同軸過(guò)渡接頭段及斧形塊的準(zhǔn)確加工同軸過(guò)渡接頭處的電流非常密集，并且對(duì)尺寸很敏感，所以對(duì)其正確、準(zhǔn)確的加工十分重要，以確保其特性阻抗，使其能與同軸線匹配。
 

　　(2)負(fù)載電阻面陣這主要從電路的角度，采用高頻無(wú)感電阻制作分配型阻抗電阻面陣作為阻性負(fù)載，保證低頻時(shí)較小的反射。在制作電阻面陣時(shí)，應(yīng)適當(dāng)減小高頻無(wú)感電阻的引線，以避免引入不必要的引線電感。此外，焊接電阻時(shí)，要防止毛刺產(chǎn)生。
 

　　(3)微波吸收材料這主要從場(chǎng)的角度，人為構(gòu)造輻射吸收邊界，高頻時(shí)吸收由端口傳來(lái)的電磁波，盡可能減少電磁反射，從而克服了傳統(tǒng)小室固有的諧振現(xiàn)象，保證了高頻時(shí)的寬帶負(fù)載匹配。一般選擇聚氨脂吸波材料。選擇時(shí)，要確保其尖劈高度L大于人射波波長(zhǎng)入的一半，并且1/γ越大越好：尖劈頂角應(yīng)大小合適，以確保有一定的反射次數(shù)，通過(guò)入射波與反射波的相位差或反相位以起到反射衰減的作用：此外，還應(yīng)保證吸波材料有一定的底座高度，從而具備良好的吸收衰減。